Tiománaithe Geata VNS1NV04DPTR-E OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Cur síos ar an Táirge
| Tréith Táirge | Luach Tréith |
| Monaróir: | STMicrileictreonaic |
| Catagóir Táirge: | Tiománaithe Geata |
| Táirge: | Tiománaithe do Geata MOSFET |
| Cineál: | Taobh Íseal |
| Stíl Gléasta: | SMD/SMT |
| Pacáiste / Cás: | SOIC-8 |
| Líon na dTiománaithe: | 2 tiománaí |
| Líon Aschur: | 2 Aschur |
| Aschur Reatha: | 1.7 A |
| Voltas Soláthair - Uasmhéid: | 24 V |
| Am Éirí Amach: | 500 ns |
| Am Titim: | 600 ns |
| Teocht Íosta Oibriúcháin: | - 40 C |
| Uasteocht Oibriúcháin: | + 150 C |
| Sraith: | VNS1NV04DP-E |
| Cáilíocht: | AEC-Q100 |
| Pacáistiú: | Ríl |
| Pacáistiú: | Gearr Téip |
| Pacáistiú: | Ríl Luiche |
| Branda: | STMicrileictreonaic |
| Íogaire Taise: | Tá |
| Soláthar Oibriúcháin Reatha: | 150 uA |
| Cineál Táirge: | Tiománaithe Geata |
| Cainníocht Pacáiste Monarcha: | 2500 |
| Fochatagóir: | PMIC - ICanna Bainistíochta Cumhachta |
| Teicneolaíocht: | Si |
| Meáchan Aonaid: | 0.005291 unsa |
♠ OMNIFET II Power MOSFET go hiomlán uathchosanta
Is gléas é an VNS1NV04DP-E atá déanta ag dhá shlis monolithic OMNIFET II atá lonnaithe i bpacáiste caighdeánach SO-8.Tá an OMNIFET II deartha i dteicneolaíocht STMicroelectronics VIPower™ M0-3: tá siad ceaptha chun MOSFETanna Cumhachta caighdeánacha a athsholáthar ó fheidhmchláir DC suas le 50KHz.Tógtha i múchadh teirmeach, teorannú sruth líneach agus clamp overvoltage a chosnaíonn an sliseanna i dtimpeallachtaí crua.
Is féidir aiseolas lochtanna a bhrath trí mhonatóireacht a dhéanamh ar an voltas ag an bioráin ionchuir.
• Teorainn líneach srutha
• Múchadh teirmeach
• Cosaint ciorcad gearr
• Clamp comhtháite
• Sruth íseal tarraingthe ón bioráin ionchuir
• Aiseolas diagnóiseach trí bhioráin ionchuir
• Cosaint ESD
• Rochtain dhíreach ar gheata an mosfet cumhachta (tiomáint analógach)
• Ag luí le mosfet cumhachta caighdeánach
• De réir na Treorach Eorpaí 2002/95/CE
